Cree Led

Фирма Cree Inc. была основана в 1987 г. в штате Северная Каролина (США). Ключевым течением компании была и остается по сей день разработка и производство полупроводниковых материалов на основе карбида кремния (SiC). В начале 90-х годов фирма приступила к усиленным изучениям в области светоизлучающих структур нитрида галлия (GaN) и твердых растворов на его основе на подложках из SiC. Благодаря редким технологиям производства полупроводниковых материалов на основе SiC, продукция CREE располагает высокой прочностью и недостижимыми для конкурентов электрическими характеристиками, что делает вероятным ее применение как в бытовой и промышленной, так и в космической аппаратуре. На сегодняшний день фирма Cree прибывает мировым лидером в производстве монокристаллов из карбида кремния и занимает лидирующую позицию как производитель полупроводниковых приборов на основе SiC и GaN на подложках из SiC.